III-V氮化物纳米材料的制备及性能研究

图书信息

作者：曹传宝著

出版社：哈尔滨工业大学出版社

定价：98.00

ISBN：9787560358024

出版时间：2017-06-01

分类：图书,行业职业,工业技术,纳米技术

商品介绍

目录

第1章 Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料简介

第2章 气相反应制备GaN纳米线的催化效应

第3章 GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理

第4章 碳热辅助法控制生长GaN低维结构

第5章 定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征

第6章 GaN纳米柱阵列的制备及表征

第7章 Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究

第8章 GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究

第9章 GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能

第10章 GaN的理论模拟研究

第11章 AIN纳米结构的可控制备与表征

第12章 单晶InN纳米线的制备及表征

第13章 InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究

参考文献

名词索引

内容简介

Ⅲ-Ⅴ氮化物属于第三代半导体，具有独特的性能及应用领域，现在得以广泛应用的蓝光LED就是以氮化镓为基材制备出来的。本书内容主要是Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料的研究，包括零维量子点的制备及性能，一维纳米材料的制备及性能，纳米阵列的制备及性能，以及对于Ⅲ-Ⅴ氮化物的理论模拟研究等。

本书对于从事Ⅲ-V氮化物纳米材料研究的学者具有一定的参考作用。