太阳电池光电器件研究：氧化锌同质p-n结制备与表征

图书信息

作者：杨景景 著，化学工业 | 分类：科学技术,工业技术,无线电电子学、电信技术

作者简介

作者简介 　　杨景景，常州工学院，副教授，主要从事氧化物光电材料的制备及p-n结、薄膜晶体管和硅基表面氧化物生长的研究，发表国内外学术论文十余篇，申请发明专利10项，主持国家自然科学基金委项目和常州市科技计划项目。

内容简介

内容简介 　　本书介绍了通过调控氧化锌的导电特性，可控地制备出电子导电和空穴导电的n型和p型半导体薄膜材料，并系统展示了硅基衬底上氧化锌同质p-n结的结构、光学和电学特性。研究表明，采用在氧化锌器件结构中插入ZnMgO（简称ZMO）多量子势垒层这一技术会明显地提高穿过结界面的载流子浓度和电子传输速率，初步解决了氧化锌基发光器件的高增益问题，为氧化锌p-n结器件的应用提供了一个可行的技术方案。本书可供新能源、新材料、半导体领域研究开发人员参考。

目录

图书目录
第1章 绪论1.1 ZnO的基本性质1.2 p型ZnO薄膜的制备与相关理论1.2.1 ZnO的本征缺陷1.2.2 ZnO的p型掺杂1.3 ZnO的量子阱与超晶格结构1.3.1 量子阱与超晶格的基本概念1.3.2 量子阱与超晶格的能带模型1.3.3 量子阱的激子与超晶格内部的电子运动1.3.4 ZnO基量子阱与超晶格1.4 ZnO的结器件研究进展1.4.1 发光二极管（LED）1.4.2 激光二极管（LD）1.4.3 光敏探测器1.5 本书的研究内容及意义第2章 ZnOp-n结器件的PLD制备方法及相关测试技术2.1 脉冲激光沉积概述2.2 脉冲激光沉积原理2.3 脉冲激光沉积系统2.4 相关表征技术2.4.1 X射线衍射（XRD）2.4.2 电学性能测试2.4.3 扫描电镜（SEM）2.4.4 光致发光谱（PL）2.4.5 紫外可见分光光度计（UV-Vis Spectroscopy）2.5 主要工艺过程2.5.1 靶材制备过程2.5.2 衬底的选择和清洗2.5.3 薄膜的制备第3章 ZnO/ZMO薄膜的研究3.1 制备与表征3.1.1 ZnO/ZMO薄膜样品靶材的制备3.1.2 ZnO/ZMO薄膜的制备与表征3.2 ZnO/ZMO组分与微结构3.2.1 ZnO/ZMO样品组分确定3.2.2 ZnO/ZMO样品微结构分析3.3 ZnO/ZMO薄膜的光学性能3.3.1 ZnO/ZMO薄膜吸收谱分析3.3.2 ZnO/ZMO薄膜光致发光谱分析3.4 ZnO/ZMO薄膜的电学性能3.5 本章总结第4章 ZnMgO多量子势垒4.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的制备与表征4.1.1 ZnMgO多量子势垒薄膜靶材的制备4.1.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的制备4.2 ZnMgO多量子势垒样品的微结构分析4.2.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的微结构分析4.2.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的电镜分析4.3 ZnMgO多量子势垒薄膜的光学性能4.3.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的吸收谱分析4.3.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的光致发光谱分析4.4 ZnMgO多量子势垒薄膜的电学性能4.5 本章总结第5章 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结器件性能的提升5.1 两种ZnO p-n结器件的制备5.1.1 靶材的制备5.1.2 ZnO p-n结器件H与内嵌ZnMgO量子势垒ZnO p-n结Q器件的制备5.2 H与Q系列微结构的比较分析5.2.1 H与Q系列XRD图谱比较5.2.2 Q系列XRD图谱比较5.3 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结的光增益5.3.1 H与Q系列吸收谱的测试分析5.3.2 H与Q系列光致发光谱测试的测试分析5.4 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结的电学特性提升5.4.1 电极制备的具体说明5.4.2 I-V曲线测试5.4.3 Q系列反向击穿电压的分析5.5 霍尔效应测试5.6 Q系列样品的能带结构分析5.7 关于Q1的霍尔效应测试的讨论5.8 本章总结第6章 总结及展望6.1 总结6.2 展望参考文献